λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. προϊόντα Created with Pixso.
Ενότητα IGBT
Created with Pixso.

Σύνθετη και ελαφριά μονάδα IGBT KES650H12A8L-2M για εγκαταστάσεις εξοικονόμησης χώρου

Σύνθετη και ελαφριά μονάδα IGBT KES650H12A8L-2M για εγκαταστάσεις εξοικονόμησης χώρου

Ονομασία μάρκας: Krunter
Αριθμός μοντέλου: KES650H12A8L-2M
Πληροφορίες λεπτομέρειας
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
Επισημαίνω:

Σύνθετη μονάδα IGBT

,

Μονάδα IGBT εξοικονόμησης χώρου

,

Ελαφριά μονάδα IGBT

Περιγραφή προϊόντων

ΚΕΣ650H12A8L-2M

  • Υψηλή πυκνότητα ισχύος με τεχνολογία IGBT Trench FS

  • Χαμηλός VCE (sat)

  • Επιτρέπεται παράλληλη λειτουργία· συμμετρική σχεδίαση και θετικός συντελεστής θερμοκρασίας

  • Σχεδιασμός χαμηλής επαγωγικότητας

  • Ενσωματωμένος αισθητήρας θερμοκρασίας NTC

  • Απομονωμένη βάση με χρήση τεχνολογίας DBC

  • Σύνθετο και ανθεκτικό σχεδιασμό με τυποποιημένα τερματικά

Διάγραμμα εσωτερικού κυκλώματος

Σύνθετη και ελαφριά μονάδα IGBT KES650H12A8L-2M για εγκαταστάσεις εξοικονόμησης χώρου 0

Παράμετροι προδιαγραφών

Τύπος ΒΒΡ
Βόλτ
ΔΕΣ (η)
Βόλτ
Ταυτότητα
Άμπερ
RDS(ενεργοποιημένο)
ΙΔΣΣ
UA
TJ Ρη ((JC)
Κ/Δ
Πtot
Βάτ
Κύκλος Πακέτο Τεχνολογία
ΚΕΣ400Η12Α8Λ-2Μ 1200V 3.2V 400A 30,7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 συσκευασία ECDUAL3 SIC MOSFET
ΚΕΣ650H12A8L-2M 1200V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200W 2 συσκευασία SIC MOSFET


Σύνθετη και ελαφριά μονάδα IGBT KES650H12A8L-2M για εγκαταστάσεις εξοικονόμησης χώρου 1